DMP4015SPSQ-13 Diodes Zetex
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 22.82 грн |
| 5000+ | 22.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP4015SPSQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP4015SPSQ-13 за ціною від 20.51 грн до 56.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 40V P-Ch Enh FET 25Vgss -100A 1.3W |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 8.5 A, 7000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 40V 11A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMP4015SPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.7A; Idm: -100A; 0.8W Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI®5060-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -100A Drain current: -8.7A Drain-source voltage: -40V On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape |
товару немає в наявності |