DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.56 грн |
| 5000+ | 22.4 грн |
| 12500+ | 20.74 грн |
| 25000+ | 19.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP4025LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.6 A, 7.6 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMP4025LSD-13 за ціною від 22.74 грн до 79.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP4025LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 154842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP4025LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 40V 25mOhm -7.6A |
на замовлення 32732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP4025LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4025LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.6 A, 7.6 A, 0.018 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|