Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP4025LSD-13
DMP4025LSD-13

DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated

DMP4025LSD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
на замовлення 117500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.58 грн
5000+21.02 грн
7500+20.16 грн
12500+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP4025LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.6 A, 7.6 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMP4025LSD-13 за ціною від 24.61 грн до 91.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP4025LSD-13 DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated DMP4025LSD.pdf Description: MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 119545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.44 грн
10+55.74 грн
100+36.91 грн
500+27.05 грн
1000+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4025LSD-13 DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated DIODS19808_1-2541822.pdf MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 40V 25mOhm -7.6A
на замовлення 16639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4025LSD-13 DMP4025LSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013187974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP4025LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.6 A, 7.6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4025LSD-13 DMP4025LSD.pdf
DMP4025LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 119545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.44 грн
10+55.74 грн
100+36.91 грн
500+27.05 грн
1000+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4025LSD-13 DIODS19808_1-2541822.pdf
DMP4025LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 40V 25mOhm -7.6A
на замовлення 16639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4025LSD-13 DIOD-S-A0013187974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP4025LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP4025LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.6 A, 7.6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.