DMP4025LSDQ-13 Diodes Incorporated
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.22 грн |
| 10+ | 95.88 грн |
| 100+ | 57.99 грн |
| 500+ | 46.08 грн |
| 1000+ | 43.96 грн |
| 2500+ | 40.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP4025LSDQ-13 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.1A; Idm: -28A; 2.14W; SO8, Mounting: SMD, Case: SO8, Kind of package: 13 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -40V, Pulsed drain current: -28A, Drain current: -6.1A, Gate charge: 33.7nC, On-state resistance: 45mΩ, Power dissipation: 2.14W, Application: automotive industry, Gate-source voltage: ±20V, Type of transistor: P-MOSFET, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції DMP4025LSDQ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP4025LSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
 |
DMP4025LSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.1A; Idm: -28A; 2.14W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Pulsed drain current: -28A Drain current: -6.1A Gate charge: 33.7nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.14W Application: automotive industry Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|
|
|
DMP4025LSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.1A; Idm: -28A; 2.14W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Pulsed drain current: -28A Drain current: -6.1A Gate charge: 33.7nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.14W Application: automotive industry Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET |
товару немає в наявності |