на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 19.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP4025LSS-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.52W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 20 V.
Інші пропозиції DMP4025LSS-13 за ціною від 20.16 грн до 92.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP4025LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP4025LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.52W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 20 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4025LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.52W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 20 V |
на замовлення 6796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP4025LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 40V P-CH MOSFET |
на замовлення 2679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4025LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP4025LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMP4025LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.9A; Idm: -30A; 2.4W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Pulsed drain current: -30A Drain current: -6.9A Gate charge: 33.7nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.4W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP4025LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.9A; Idm: -30A; 2.4W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Pulsed drain current: -30A Drain current: -6.9A Gate charge: 33.7nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.4W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET |
товару немає в наявності |