DMP4025SFG-7 Diodes Incorporated


DMP4025SFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+14.94 грн
6000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP4025SFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.65A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 20 V.

Інші пропозиції DMP4025SFG-7 за ціною від 15.10 грн до 44.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP4025SFG-7 DMP4025SFG-7 Diodes Incorporated DMP4025SFG.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 20 V
на замовлення 7840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
10+36.50 грн
100+25.35 грн
500+18.58 грн
1000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4025SFG-7 DMP4025SFG-7 Diodes Incorporated DMP4025SFG.pdf MOSFETs 40V P-Ch Enh Mode 25mOhm -10V -7.2A
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4025SFG-7 DMP4025SFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 20 V
на замовлення 7840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.27 грн
10+36.50 грн
100+25.35 грн
500+18.58 грн
1000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4025SFG-7 DMP4025SFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 40V P-Ch Enh Mode 25mOhm -10V -7.2A
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.