DMP4050SSD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 327500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 27.83 грн |
| 5000+ | 24.85 грн |
| 7500+ | 24.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP4050SSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP4050SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 4 A, 4 A, 0.038 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP4050SSD-13 за ціною від 24.02 грн до 129.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP4050SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 5.2A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 252500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP4050SSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4050SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 4 A, 4 A, 0.038 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP4050SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -40V; -4A; Idm: -20A; 1.25W; SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET x2 Case: SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -20A Drain current: -4A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 13.9nC On-state resistance: 79mΩ Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape |
на замовлення 1163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP4050SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 328429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP4050SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -40V; -4A; Idm: -20A; 1.25W; SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET x2 Case: SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -20A Drain current: -4A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 13.9nC On-state resistance: 79mΩ Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1163 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP4050SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET,P-CHANNEL -40V, -4.1A,-5.2A |
на замовлення 9516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP4050SSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4050SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 4 A, 4 A, 0.038 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP4050SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 5.2A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMP4050SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 5.2A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMP4050SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 5.2A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |