DMP4050SSDQ-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 4 A, 4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 69.66 грн |
| 500+ | 51.18 грн |
| 1000+ | 43.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP4050SSDQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 4 A, 4 A, 0.038 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP4050SSDQ-13 за ціною від 35.56 грн до 161.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP4050SSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 1194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP4050SSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 40V P-Ch Dual FET 20Vgs -4.2A 14.3 |
на замовлення 9536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4050SSDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 4 A, 4 A, 0.038 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMP4050SSDQ-13 Код товару: 214670
Додати до обраних
Обраний товар
|
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
DMP4050SSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 5.2A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMP4050SSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -40V; -4.1A; 1.25W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.1A Power dissipation: 1.25W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 79mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP4050SSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP4050SSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -40V; -4.1A; 1.25W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.1A Power dissipation: 1.25W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 79mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |