DMP4065SQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 T&R
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP4065SQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 T&R, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 720mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.
Інші пропозиції DMP4065SQ-7 за ціною від 6.91 грн до 36.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP4065SQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 17598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP4065SQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 T&R Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 720mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.2A, 10V |
на замовлення 5736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|