DMP45H150DHE-13

DMP45H150DHE-13 Diodes Incorporated


DMP45H150DHE.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.2 pF @ 25 V
на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.98 грн
5000+10.43 грн
7500+10.23 грн
12500+9.15 грн
17500+8.83 грн
25000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP45H150DHE-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V, Power Dissipation (Max): 13.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.2 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMP45H150DHE-13 за ціною від 12.40 грн до 40.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP45H150DHE-13 DMP45H150DHE-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP45H150DHE.pdf Description: MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 13.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.2 pF @ 25 V
на замовлення 62566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.85 грн
11+29.05 грн
100+20.28 грн
500+14.51 грн
1000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.