Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP45H21DHE-13

DMP45H21DHE-13 Diodes Incorporated

Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 251V-500V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMP45H21DHE-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP45H21DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 600 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 450V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMP45H21DHE-13

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	DMP45H21DHE-13	DIODES INC.	Description: DIODES INC. - DMP45H21DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 600 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)	на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	DMP45H21DHE-13	DIODES INC.	Description: DIODES INC. - DMP45H21DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 600 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)	на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

DMP45H21DHE-13

Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP45H21DHE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 600 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP45H21DHE-13

на замовлення 2431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.