Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP45H4D9HJ3
DMP45H4D9HJ3

DMP45H4D9HJ3 DIODES INCORPORATED

DMP45H4D9HJ3.pdf Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -3A; Idm: -22.4A; 41W; TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -450V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -22.4A
Power dissipation: 41W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.7nC
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.68 грн
25+57.64 грн
33+28.78 грн
89+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP45H4D9HJ3 DIODES INCORPORATED

Description: MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMP45H4D9HJ3 за ціною від 31.33 грн до 101.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP45H4D9HJ3 DMP45H4D9HJ3 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP45H4D9HJ3.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -3A; Idm: -22.4A; 41W; TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -450V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -22.4A
Power dissipation: 41W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+101.62 грн
25+71.83 грн
33+34.54 грн
89+32.65 грн
450+31.71 грн
525+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HJ3 Виробник : Diodes Inc dmp45h4d9hj3.pdf Trans MOSFET P-CH 450V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HJ3 DMP45H4D9HJ3 Виробник : Diodes Zetex dmp45h4d9hj3.pdf Trans MOSFET P-CH 450V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HJ3 DMP45H4D9HJ3 Виробник : Diodes Incorporated DMP45H4D9HJ3.pdf Description: MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HJ3 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011417360_1-2543498.pdf MOSFET MOSFETBVDSS: 251V-500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.