DMP45H4D9HJ3 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -3A; Idm: -22.4A; 41W; TO251
Drain-source voltage: -450V
Drain current: -3A
Case: TO251
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.9Ω
Pulsed drain current: -22.4A
Power dissipation: 41W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.7nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 113.76 грн |
| 10+ | 52.65 грн |
| 25+ | 44.98 грн |
| 32+ | 30.21 грн |
| 86+ | 28.55 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP45H4D9HJ3 DIODES INCORPORATED
Description: MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMP45H4D9HJ3 за ціною від 28.52 грн до 127.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP45H4D9HJ3 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 25 V |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DMP45H4D9HJ3 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFETBVDSS: 251V-500V |
на замовлення 346 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| DMP45H4D9HJ3 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 25 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 125.73 грн |
| 10+ | 76.35 грн |
| 25+ | 64.56 грн |
| DMP45H4D9HJ3 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 251V-500V
MOSFETs MOSFETBVDSS: 251V-500V
на замовлення 346 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.13 грн |
| 10+ | 55.42 грн |
| 75+ | 47.02 грн |
| 525+ | 32.54 грн |
| 1050+ | 28.67 грн |
| 2550+ | 28.52 грн |