Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP45H4D9HJ3
DMP45H4D9HJ3

DMP45H4D9HJ3 DIODES INCORPORATED

DMP45H4D9HJ3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -450V; -3A; Idm: -22.4A; 41W; TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -450V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -22.4A
Power dissipation: 41W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+82.33 грн
25+33.57 грн
75+30.33 грн
150+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP45H4D9HJ3 DIODES INCORPORATED

Description: MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMP45H4D9HJ3 за ціною від 65.00 грн до 126.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP45H4D9HJ3 DMP45H4D9HJ3 Diodes Incorporated DMP45H4D9HJ3.pdf Description: MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 25 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+76.88 грн
25+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HJ3 Diodes Incorporated DMP45H4D9HJ3.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 251V-500V
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HJ3 DMP45H4D9HJ3.pdf
DMP45H4D9HJ3
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 25 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.59 грн
10+76.88 грн
25+65.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP45H4D9HJ3 DMP45H4D9HJ3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 251V-500V
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.