на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP510DL-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMP510DL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 310mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 10ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMP510DL-7 за ціною від 2.42 грн до 27.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP510DL-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V |
на замовлення 1935000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP510DL-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V |
на замовлення 1939702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP510DL-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss |
на замовлення 31242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP510DL-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP510DL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 310mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 10ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP510DL-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -1.2A Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: -0.13A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -50V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 10Ω кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMP510DL-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -1.2A Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: -0.13A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -50V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 10Ω |
товар відсутній |