DMP510DL-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.60 грн |
| 6000+ | 3.15 грн |
| 9000+ | 3.06 грн |
| 15000+ | 2.86 грн |
| 21000+ | 2.85 грн |
| 30000+ | 2.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP510DL-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP510DL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 310mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 10ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm.
Інші пропозиції DMP510DL-7 за ціною від 4.79 грн до 89.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP510DL-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 37118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMP510DL-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±30V Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Case: SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Pulsed drain current: -1.2A Drain current: -0.13A |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMP510DL-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss |
на замовлення 19255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMP510DL-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP510DL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMP510DL-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP510DL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 310mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 10ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP510DL-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 37118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.70 грн |
| 24+ | 12.54 грн |
| 100+ | 6.63 грн |
| 500+ | 5.11 грн |
| 1000+ | 4.79 грн |
| DMP510DL-7 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Pulsed drain current: -1.2A
Drain current: -0.13A
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Pulsed drain current: -1.2A
Drain current: -0.13A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 89.29 грн |
| DMP510DL-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss
MOSFETs P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss
на замовлення 19255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMP510DL-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP510DL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: DIODES INC. - DMP510DL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMP510DL-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP510DL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: DIODES INC. - DMP510DL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 310mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)