DMP56D0UFB-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 425mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.54 pF @ 25 V
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 5.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP56D0UFB-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 425mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP56D0UFB-7B за ціною від 5.64 грн до 29.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP56D0UFB-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 425mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 9745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP56D0UFB-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP56D0UFB-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 200 mA, 4.6 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 425mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 9745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP56D0UFB-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 425mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.54 pF @ 25 V |
на замовлення 226163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP56D0UFB-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-CH ENHANCEMENT MODE MOSFET |
на замовлення 111418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMP56D0UFB-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMP56D0UFB-7B SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |