Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP6018LPS-13
DMP6018LPS-13

DMP6018LPS-13 Diodes Incorporated

DMP6018LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.40 грн
5000+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP6018LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMP6018LPS-13 за ціною від 54.79 грн до 128.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP6018LPS-13 DMP6018LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP6018LPS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
на замовлення 12413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.12 грн
10+102.15 грн
100+81.32 грн
500+64.57 грн
1000+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012956108_1-2513179.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP6018LPS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -48A; Idm: -240A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -240A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -48A
Gate charge: 13.7nC
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 2.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.