Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP6018LPSQ-13
DMP6018LPSQ-13

DMP6018LPSQ-13 Diodes Incorporated

DMP6018LPSQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.50 грн
10+86.64 грн
100+68.98 грн
500+54.78 грн
1000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP6018LPSQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMP6018LPSQ-13 за ціною від 47.08 грн до 132.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP6018LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012955604_1-2513165.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.39 грн
10+101.88 грн
100+79.80 грн
250+73.21 грн
500+70.14 грн
1000+59.45 грн
2500+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP6018LPSQ.pdf DMP6018LPSQ-13 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPSQ-13 DMP6018LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP6018LPSQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.