Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP6018LPSQ-13
DMP6018LPSQ-13

DMP6018LPSQ-13 Diodes Incorporated

DMP6018LPSQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP6018LPSQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMP6018LPSQ-13 за ціною від 47.71 грн до 176.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP6018LPSQ-13 DMP6018LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP6018LPSQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.50 грн
10+100.26 грн
100+68.26 грн
500+51.22 грн
1000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPSQ-13 DMP6018LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP6018LPSQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 8301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.14 грн
10+111.12 грн
100+66.20 грн
500+52.62 грн
1000+49.67 грн
2500+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6018LPSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP6018LPSQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -48A; Idm: -240A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -240A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -48A
Gate charge: 13.7nC
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 2.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.