Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP6018LPSQ-13

DMP6018LPSQ-13 Diodes Incorporated

Name: DMP6018LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 47514999-3
Price: 362.66 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	181.33 грн
10+	112.15 грн
100+	76.82 грн
500+	57.90 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMP6018LPSQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP6018LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2.6W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm.

Інші пропозиції DMP6018LPSQ-13

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	DMP6018LPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K	на замовлення 8301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	DMP6018LPSQ-13	DIODES INC.	Description: DIODES INC. - DMP6018LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm	на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

DMP6018LPSQ-13

Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

на замовлення 8301 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMP6018LPSQ-13

Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6018LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.