Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP6023LEQ-13
DMP6023LEQ-13

DMP6023LEQ-13 Diodes Incorporated

DMP6023LEQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP6023LEQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMP6023LEQ-13 за ціною від 24.78 грн до 105.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP6023LEQ-13 DMP6023LEQ-13 Виробник : Diodes Zetex 133dmp6023leq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13 DMP6023LEQ-13 Виробник : Diodes Zetex 133dmp6023leq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13 DMP6023LEQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004567311-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP6023LEQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.75 грн
500+36.21 грн
1000+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13 DMP6023LEQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004567311_1-2542631.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.37 грн
10+65.30 грн
100+39.36 грн
500+30.85 грн
1000+28.01 грн
2500+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13 DMP6023LEQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP6023LEQ.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.92 грн
10+62.02 грн
100+41.19 грн
500+30.24 грн
1000+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13 DMP6023LEQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004567311-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP6023LEQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.01 грн
13+70.24 грн
100+49.75 грн
500+36.21 грн
1000+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13
Код товару: 194335
Додати до обраних Обраний товар

DMP6023LEQ.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13 DMP6023LEQ-13 Виробник : Diodes Inc 133dmp6023leq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LEQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP6023LEQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -50A; 1.3W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Gate charge: 53.1nC
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.