на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 24.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP6023LFG-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP6023LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP6023LFG-7 за ціною від 22.11 грн до 37.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP6023LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP6023LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP6023LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP6023LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V |
на замовлення 5798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP6023LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF |
на замовлення 7131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP6023LFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6023LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP6023LFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6023LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP6023LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
DMP6023LFG-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
DMP6023LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| DMP6023LFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.2A; Idm: -55A; 2.1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.2A Pulsed drain current: -55A Power dissipation: 2.1W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53.1nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| DMP6023LFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.2A; Idm: -55A; 2.1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.2A Pulsed drain current: -55A Power dissipation: 2.1W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53.1nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |