
DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 19.80 грн |
6000+ | 18.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMP6023LFGQ-13 за ціною від 15.76 грн до 73.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 97900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 97900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 4944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.2A; Idm: -55A; 2.1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.2A Pulsed drain current: -55A Power dissipation: 2.1W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate charge: 53.1nC кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
DMP6023LFGQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.2A; Idm: -55A; 2.1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.2A Pulsed drain current: -55A Power dissipation: 2.1W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate charge: 53.1nC |
товару немає в наявності |