DMP6023LFGQ-7 Diodes Inc
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 20.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP6023LFGQ-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP6023LFGQ-7 за ціною від 17.37 грн до 74.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 19596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP6023LFGQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMP6023LFGQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.2A; Idm: -55A; 1W Mounting: SMD Case: PowerDI®3333-8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -55A Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.2A On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |