Продукція > DIODES INC > DMP6023LFGQ-7
DMP6023LFGQ-7

DMP6023LFGQ-7 Diodes Inc

dmp6023lfgq.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP6023LFGQ-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMP6023LFGQ-7 за ціною від 17.12 грн до 74.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP6023LFGQ-7 DMP6023LFGQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmp6023lfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+24.38 грн
4000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7 DMP6023LFGQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmp6023lfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7 DMP6023LFGQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0003133163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.40 грн
500+27.94 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7 DMP6023LFGQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP6023LFGQ.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.57 грн
10+45.67 грн
100+31.22 грн
500+23.24 грн
1000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7 DMP6023LFGQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP6023LFGQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 22168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.22 грн
10+51.29 грн
100+30.47 грн
500+24.16 грн
1000+21.96 грн
2000+19.38 грн
4000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7 DMP6023LFGQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0003133163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.75 грн
16+53.27 грн
100+36.40 грн
500+27.94 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7 DMP6023LFGQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmp6023lfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP6023LFGQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.2A; Idm: -55A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.2A
Pulsed drain current: -55A
Power dissipation: 1W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7 DMP6023LFGQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP6023LFGQ.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6023LFGQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP6023LFGQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.2A; Idm: -55A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.2A
Pulsed drain current: -55A
Power dissipation: 1W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.