на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 24.75 грн |
| 5000+ | 22.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP6023LSS-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP6023LSS-13 за ціною від 21.33 грн до 96.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP6023LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP6023LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP6023LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP6023LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP6023LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP6023LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V |
на замовлення 1032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP6023LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF |
на замовлення 11778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP6023LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP6023LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP6023LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |