DMP6023LSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 23.03 грн |
| 5000+ | 20.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP6023LSS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP6023LSS-13 за ціною від 19.47 грн до 88.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP6023LSS-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMP6023LSS-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMP6023LSS-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMP6023LSS-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMP6023LSS-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V |
на замовлення 5845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMP6023LSS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF |
на замовлення 11778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DMP6023LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DMP6023LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DMP6023LSS-13 | Diodes INC. |
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2569 @ 30, Rds = 25 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 4025 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| DMP6023LSS-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.37 грн |
| 5000+ | 24.86 грн |
| DMP6023LSS-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 315+ | 27.47 грн |
| 500+ | 22.96 грн |
| DMP6023LSS-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 514+ | 27.47 грн |
| DMP6023LSS-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.60 грн |
| 5000+ | 25.06 грн |
| DMP6023LSS-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Description: MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
на замовлення 5845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.14 грн |
| 10+ | 53.38 грн |
| 100+ | 35.23 грн |
| 500+ | 25.73 грн |
| 1000+ | 23.37 грн |
| DMP6023LSS-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
MOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
на замовлення 11778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMP6023LSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMP6023LSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMP6023LSS-13 |
![]() |
Виробник: Diodes INC.
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2569 @ 30, Rds = 25 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 4025 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2569 @ 30, Rds = 25 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 4025 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.47 грн |





