Продукція > DIODES INC > DMP6050SFG-7
DMP6050SFG-7

DMP6050SFG-7 Diodes Inc

2081040202641348dmp6050sfg.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP6050SFG-7 Diodes Inc

Description: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMP6050SFG-7 за ціною від 17.82 грн до 73.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP6050SFG-7 DMP6050SFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP6050SFG.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-7 DMP6050SFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP6050SFG.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.86 грн
10+43.33 грн
100+28.27 грн
500+20.48 грн
1000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-7 DMP6050SFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP6050SFG.pdf MOSFETs 60V P-Ch Enh FET 20Vgss 1.8W
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.63 грн
10+49.66 грн
100+29.06 грн
250+28.99 грн
500+22.87 грн
1000+20.53 грн
2000+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP6050SFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.9A; Idm: -32A; 1.1W
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -32A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.9A
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.