Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP6050SPS-13
DMP6050SPS-13

DMP6050SPS-13 Diodes Incorporated

DMP6050SPS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V
на замовлення 725000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.11 грн
5000+16.07 грн
7500+15.98 грн
12500+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP6050SPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMP6050SPS-13 за ціною від 18.22 грн до 67.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP6050SPS-13 DMP6050SPS-13 Diodes Incorporated DMP6050SPS.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 725602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.42 грн
10+44.18 грн
100+27.01 грн
500+20.05 грн
1000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13 DMP6050SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004567363-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13 DMP6050SPS-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0004567363_1-2542682.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 5208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13 DMP6050SPS.pdf
DMP6050SPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 725602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.42 грн
10+44.18 грн
100+27.01 грн
500+20.05 грн
1000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13 DIOD-S-A0004567363-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP6050SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPS-13 DIOD_S_A0004567363_1-2542682.pdf
DMP6050SPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 5208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.