Інші пропозиції DMP6050SSD-13 за ціною від 16.86 грн до 55.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP6050SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP6050SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs |
на замовлення 4397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP6050SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.9A; Idm: -32A; 1.2W; SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET x2 Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -32A Drain current: -3.9A On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 1.2W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape |
на замовлення 1217 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP6050SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8SOPart Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 22326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|



