DMP610DL-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 2.20 грн |
30000+ | 2.08 грн |
50000+ | 1.87 грн |
100000+ | 1.55 грн |
250000+ | 1.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP610DL-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V, Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMP610DL-13 за ціною від 1.69 грн до 2.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMP610DL-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
DMP610DL-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
DMP610DL-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -1.2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 560pC Drain current: -130mA кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
DMP610DL-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -1.2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 560pC Drain current: -130mA |
товару немає в наявності |