Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP610DLQ-7
DMP610DLQ-7

DMP610DLQ-7 Diodes Incorporated

DMP610DLQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP610DLQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V, Power Dissipation (Max): 520mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMP610DLQ-7 за ціною від 3.07 грн до 18.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP610DLQ-7 DMP610DLQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP610DLQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.83 грн
28+10.80 грн
100+6.72 грн
500+4.63 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP610DLQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.22 грн
30+10.82 грн
100+5.86 грн
500+4.32 грн
1000+3.83 грн
3000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-7 DMP610DLQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmp610dlq.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.186A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP610DLQ-7 DMP610DLQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP610DLQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -130mA; Idm: -1.2A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.13A
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 560pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.