на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP6110SSD-13 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMP6110SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.105 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP6110SSD-13 за ціною від 14.58 грн до 64.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP6110SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP6110SSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6110SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.105 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP6110SSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6110SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.105 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP6110SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 3576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP6110SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs |
на замовлення 5180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP6110SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.7A; Idm: -24A; 1.2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -24A Drain current: -2.7A On-state resistance: 0.105Ω Power dissipation: 1.2W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET x2 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP6110SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.7A; Idm: -24A; 1.2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -24A Drain current: -2.7A On-state resistance: 0.105Ω Power dissipation: 1.2W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET x2 |
товару немає в наявності |