на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 12.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP6110SSD-13 Diodes Inc
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції DMP6110SSD-13 за ціною від 13.76 грн до 43.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP6110SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 7420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP6110SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 7938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP6110SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs |
на замовлення 45623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP6110SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.7A; Idm: -24A; 1.2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.7A Pulsed drain current: -24A Power dissipation: 1.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMP6110SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2.7A; Idm: -24A; 1.2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.7A Pulsed drain current: -24A Power dissipation: 1.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |