DMP6110SSDQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 267500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 18.73 грн |
5000+ | 17.09 грн |
12500+ | 15.83 грн |
25000+ | 14.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP6110SSDQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMP6110SSDQ-13 за ціною від 17.14 грн до 51.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP6110SSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 268205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP6110SSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 5310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP6110SSDQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
DMP6110SSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |