Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > DMP6110SSS-13

DMP6110SSS-13

DMP6110SSS.pdf
Код товару: 206035
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMP6110SSS-13 за ціною від 10.27 грн до 54.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP6110SSS-13 DMP6110SSS-13 Diodes Incorporated DMP6110SSS.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.83 грн
5000+11.69 грн
7500+11.15 грн
12500+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13 DMP6110SSS-13 Diodes Incorporated DMP6110SSS.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
на замовлення 17274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.12 грн
10+33.43 грн
100+21.02 грн
500+15.55 грн
1000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13 DMP6110SSS-13 Diodes Incorporated DIODS21558_1-2541838.pdf MOSFETs 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC
на замовлення 17349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13 DMP6110SSS-13 DIODES INC. DIODS21558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13 DMP6110SSS-13 Diodes Zetex dmp6110sss.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13 DMP6110SSS-13 Diodes Zetex dmp6110sss.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13 DMP6110SSS-13 DIODES INC. DIODS21558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13 DMP6110SSS.pdf
DMP6110SSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.83 грн
5000+11.69 грн
7500+11.15 грн
12500+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13 DMP6110SSS.pdf
DMP6110SSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
на замовлення 17274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.12 грн
10+33.43 грн
100+21.02 грн
500+15.55 грн
1000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13 DIODS21558_1-2541838.pdf
DMP6110SSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC
на замовлення 17349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13 DIODS21558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP6110SSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13 dmp6110sss.pdf
DMP6110SSS-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13 dmp6110sss.pdf
DMP6110SSS-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSS-13 DIODS21558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP6110SSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

THVD1400DR
Код товару: 206036
Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fthvd1400

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMPQ3904
Код товару: 135605
Додати до обраних Обраний товар
mmpq3904-889909.pdf

SOIC-16
NPN Multi-chip general purpose amplifier
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+60.50 грн
10+54.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.