DMP6110SSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 13.61 грн |
| 5000+ | 12.40 грн |
| 7500+ | 11.83 грн |
| 12500+ | 10.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP6110SSS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP6110SSS-13 за ціною від 11.75 грн до 63.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP6110SSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP6110SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V |
на замовлення 17274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP6110SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC |
на замовлення 17349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP6110SSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6110SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP6110SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DMP6110SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
DMP6110SSS-13 Код товару: 206035
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
DMP6110SSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMP6110SSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.6A; Idm: -19A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -19A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.4nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP6110SSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.6A; Idm: -19A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -19A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.4nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |