DMP6110SSSQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET PCH 60V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 15.35 грн |
| 5000+ | 13.58 грн |
| 7500+ | 13.21 грн |
| 12500+ | 11.30 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP6110SSSQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET PCH 60V 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMP6110SSSQ-13 за ціною від 12.51 грн до 63.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP6110SSSQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP6110SSSQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 2783 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP6110SSSQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET PCH 60V 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 50350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP6110SSSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
DMP6110SSSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP6110SSSQ-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 17.91 грн |
| DMP6110SSSQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 61.60 грн |
| 10+ | 39.86 грн |
| 100+ | 23.11 грн |
| 500+ | 19.16 грн |
| 1000+ | 17.33 грн |
| 2500+ | 15.36 грн |
| 5000+ | 12.51 грн |
| DMP6110SSSQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET PCH 60V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET PCH 60V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.25 грн |
| 10+ | 38.10 грн |
| 100+ | 24.61 грн |
| 500+ | 17.91 грн |
| 1000+ | 16.17 грн |
| DMP6110SSSQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMP6110SSSQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)