Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP6110SSSQ-13
DMP6110SSSQ-13

DMP6110SSSQ-13 Diodes Incorporated

DMP6110SSSQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET PCH 60V 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+15.74 грн
5000+13.93 грн
7500+13.55 грн
12500+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP6110SSSQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET PCH 60V 8SO, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta).

Інші пропозиції DMP6110SSSQ-13 за ціною від 12.03 грн до 64.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP6110SSSQ-13 DMP6110SSSQ-13 DIODES INC. DMP6110SSSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.42 грн
500+18.51 грн
1000+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSQ-13 DMP6110SSSQ-13 Diodes Incorporated DMP6110SSSQ-1545864.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.24 грн
10+38.33 грн
100+22.22 грн
500+18.43 грн
1000+16.67 грн
2500+14.77 грн
5000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSQ-13 DMP6110SSSQ-13 DIODES INC. DMP6110SSSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.57 грн
21+39.46 грн
100+26.42 грн
500+18.51 грн
1000+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSQ-13 DMP6110SSSQ-13 Diodes Incorporated DMP6110SSSQ.pdf Description: MOSFET PCH 60V 8SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.88 грн
10+39.08 грн
100+25.24 грн
500+18.37 грн
1000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSQ-13 DMP6110SSSQ.pdf
DMP6110SSSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+26.42 грн
500+18.51 грн
1000+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSQ-13 DMP6110SSSQ-1545864.pdf
DMP6110SSSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+59.24 грн
10+38.33 грн
100+22.22 грн
500+18.43 грн
1000+16.67 грн
2500+14.77 грн
5000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSQ-13 DMP6110SSSQ.pdf
DMP6110SSSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+59.57 грн
21+39.46 грн
100+26.42 грн
500+18.51 грн
1000+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSQ-13 DMP6110SSSQ.pdf
DMP6110SSSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET PCH 60V 8SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+64.88 грн
10+39.08 грн
100+25.24 грн
500+18.37 грн
1000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.