Продукція > DIODES INC > DMP6185SE-13
DMP6185SE-13

DMP6185SE-13 Diodes Inc

dmp6185se.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP6185SE-13 Diodes Inc

Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMP6185SE-13 за ціною від 8.38 грн до 41.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP6185SE-13 DMP6185SE-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP6185SE.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 824300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.01 грн
5000+9.78 грн
7500+9.36 грн
12500+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-13 DMP6185SE-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP6185SE.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 824674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.01 грн
13+24.63 грн
100+16.73 грн
500+12.31 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-13 DMP6185SE-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP6185SE.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.34 грн
11+32.16 грн
100+18.82 грн
500+14.50 грн
1000+12.37 грн
2500+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP6185SE.pdf DMP6185SE-13 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.