на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP6185SK3-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP6185SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.12 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP6185SK3-13 за ціною від 14.59 грн до 79.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP6185SK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 60V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP6185SK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V |
на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP6185SK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6185SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.12 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP6185SK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V P-Ch Enh FET 20Vgs -14A 1.6W |
на замовлення 46430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP6185SK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6185SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.12 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP6185SK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V |
на замовлення 47789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|