DMP6250SE-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.74 грн |
| 5000+ | 18.41 грн |
| 7500+ | 17.61 грн |
| 12500+ | 15.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP6250SE-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-223-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 14W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMP6250SE-13 за ціною від 17.39 грн до 80.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP6250SE-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs FET BVDSS 41V 60V P-Ch 6.1A 250Vgs |
на замовлення 7304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP6250SE-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-223-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 14W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 42323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|