Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP68D0LFB-7B
DMP68D0LFB-7B

DMP68D0LFB-7B Diodes Incorporated

DMP68D0LFB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V X2-DFN100
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW
на замовлення 6569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+19.78 грн
26+11.81 грн
100+7.38 грн
500+5.11 грн
1000+4.52 грн
2000+4.02 грн
5000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP68D0LFB-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V X2-DFN100, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 500mW, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-UFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMP68D0LFB-7B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP68D0LFB-7B DMP68D0LFB-7B Diodes Incorporated DMP68D0LFB.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V X2-DFN100
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP68D0LFB-7B DMP68D0LFB.pdf
DMP68D0LFB-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V X2-DFN100
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.