DMP68D1LFB-7B Diodes Incorporated


DMP68D1LFB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V X2-DFN1006-3 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP68D1LFB-7B Diodes Incorporated

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -65V; -230mA; Idm: -0.8A; 1.2W, Case: X1-DFN1006-3, Mounting: SMD, Kind of package: 7 inch reel; tape, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 18Ω, Pulsed drain current: -0.8A, Power dissipation: 1.2W, Gate charge: 0.6nC, Polarisation: unipolar, Drain current: -0.23A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -65V, Type of transistor: P-MOSFET.

Інші пропозиції DMP68D1LFB-7B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP68D1LFB-7B DIODES INCORPORATED Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -65V; -230mA; Idm: -0.8A; 1.2W
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18Ω
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 0.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -65V
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP68D1LFB-7B
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -65V; -230mA; Idm: -0.8A; 1.2W
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18Ω
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 0.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -65V
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.