Продукція > DIODES ZETEX > DMPH1006UPSQ-13
DMPH1006UPSQ-13

DMPH1006UPSQ-13 Diodes Zetex

dmph1006upsq.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 12V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH1006UPSQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMPH1006UPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.004 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMPH1006UPSQ-13 за ціною від 28.12 грн до 128.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmph1006upsq.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmph1006upsq.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH1006UPSQ.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6334 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.93 грн
5000+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011756480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH1006UPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.004 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.82 грн
500+42.24 грн
1000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH1006UPSQ.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6334 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.99 грн
10+64.66 грн
100+50.26 грн
500+39.98 грн
1000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011756480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH1006UPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.004 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+104.59 грн
12+73.30 грн
100+54.25 грн
500+47.53 грн
1000+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH1006UPSQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.22 грн
10+80.19 грн
100+46.69 грн
500+36.69 грн
1000+33.43 грн
2500+29.18 грн
5000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH1006UPSQ-13 DMPH1006UPSQ-13 Виробник : Diodes Inc dmph1006upsq.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 80A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH1006UPSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMPH1006UPSQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -60A; Idm: -140A; 3.2W
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -140A
Drain current: -60A
Drain-source voltage: -12V
Gate charge: 124nC
Power dissipation: 3.2W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH1006UPSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMPH1006UPSQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -60A; Idm: -140A; 3.2W
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -140A
Drain current: -60A
Drain-source voltage: -12V
Gate charge: 124nC
Power dissipation: 3.2W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.