DMPH1006UPSQ-13 Diodes Zetex
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 31.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMPH1006UPSQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMPH1006UPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 4000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMPH1006UPSQ-13 за ціною від 28.27 грн до 136.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMPH1006UPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6334 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMPH1006UPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 12V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMPH1006UPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 12V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMPH1006UPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH1006UPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 4000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMPH1006UPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6334 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMPH1006UPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 1913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMPH1006UPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH1006UPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 4000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMPH1006UPSQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 12V 80A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMPH1006UPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -60A; Idm: -140A; 3.2W Case: PowerDI5060-8 Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -140A Drain current: -60A Drain-source voltage: -12V Gate charge: 124nC Power dissipation: 3.2W On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±8V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |