DMPH2040UVTQ-7

DMPH2040UVTQ-7 Diodes Incorporated


DMPH2040UVTQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 5.6/11.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 11.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH2040UVTQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 5.6/11.7A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 11.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 8.9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMPH2040UVTQ-7 за ціною від 11.39 грн до 60.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMPH2040UVTQ-7 DMPH2040UVTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMPH2040UVTQ.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.6/11.7A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 11.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.82 грн
10+33.56 грн
100+23.36 грн
500+17.11 грн
1000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH2040UVTQ-7 DMPH2040UVTQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009150403_1-2543020.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.36 грн
10+37.64 грн
100+21.84 грн
500+16.98 грн
1000+15.31 грн
3000+11.47 грн
9000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH2040UVTQ-7 DMPH2040UVTQ-7 Виробник : Diodes Inc dmph2040uvtq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH2040UVTQ-7 DMPH2040UVTQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMPH2040UVTQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; Idm: -40A; 1.5W; TSOT26
Case: TSOT26
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.9A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH2040UVTQ-7 DMPH2040UVTQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMPH2040UVTQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; Idm: -40A; 1.5W; TSOT26
Case: TSOT26
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.9A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.