Продукція > DIODES INCORPORATED > DMPH3010LK3-13
DMPH3010LK3-13

DMPH3010LK3-13 Diodes Incorporated

DMPH3010LK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.77 грн
5000+21.80 грн
12500+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH3010LK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMPH3010LK3-13 за ціною від 22.82 грн до 63.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMPH3010LK3-13 DMPH3010LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH3010LK3.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6807 pF @ 15 V
на замовлення 41250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.30 грн
10+45.28 грн
100+35.21 грн
500+28.01 грн
1000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LK3-13 DMPH3010LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated diodes_inc_diod-s-a0002833350-1-1749249.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.75 грн
10+51.74 грн
100+35.05 грн
500+29.68 грн
1000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH3010LK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMPH3010LK3.pdf DMPH3010LK3-13 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.