DMPH4013SK3Q-13

DMPH4013SK3Q-13 Diodes Incorporated


DMPH4013SK3Q.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH4013SK3Q-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMPH4013SK3Q-13 за ціною від 29.14 грн до 109.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated diodes_inc_diod-s-a0006644047-1-1749366.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.39 грн
10+68.20 грн
100+41.80 грн
500+33.75 грн
1000+31.12 грн
2500+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH4013SK3Q.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.29 грн
10+69.25 грн
100+47.50 грн
500+35.29 грн
1000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Виробник : Diodes Inc dmph4013sk3q.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMPH4013SK3Q.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -40A; Idm: -120A; 3.7W; TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO252
Application: automotive industry
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMPH4013SK3Q.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -40A; Idm: -120A; 3.7W; TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -40A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO252
Application: automotive industry
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.