Продукція > DIODES INC. > DMPH4013SK3Q-13
DMPH4013SK3Q-13

DMPH4013SK3Q-13 DIODES INC.


DMPH4013SK3Q.pdf Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.24 грн
500+41.88 грн
1000+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH4013SK3Q-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMPH4013SK3Q-13 за ціною від 30.39 грн до 119.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Виробник : Diodes Zetex dmph4013sk3q.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+82.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Виробник : Diodes Zetex dmph4013sk3q.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+89.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated diodes inc_diod-s-a0006644047-1.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.16 грн
10+78.89 грн
100+46.19 грн
500+36.45 грн
1000+33.22 грн
2500+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH4013SK3Q.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.69 грн
10+72.25 грн
100+48.31 грн
500+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Виробник : DIODES INC. DMPH4013SK3Q.pdf Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+119.65 грн
11+80.82 грн
100+57.24 грн
500+41.88 грн
1000+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Виробник : Diodes Zetex dmph4013sk3q.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Виробник : Diodes Inc dmph4013sk3q.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4013SK3Q-13 DMPH4013SK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH4013SK3Q.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4004 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.