Продукція > DIODES INCORPORATED > DMPH4015SK3Q-13
DMPH4015SK3Q-13

DMPH4015SK3Q-13 Diodes Incorporated

DMPH4015SK3Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.72 грн
5000+27.46 грн
7500+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH4015SK3Q-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-252-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMPH4015SK3Q-13 за ціною від 30.99 грн до 112.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMPH4015SK3Q-13 DMPH4015SK3Q-13 Diodes Incorporated DMPH4015SK3Q.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.88 грн
10+69.09 грн
100+46.09 грн
500+33.98 грн
1000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3Q-13 DMPH4015SK3Q-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013030199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH4015SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 8000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3Q-13 DMPH4015SK3Q-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013030199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH4015SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 8000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3Q-13 DMPH4015SK3Q.pdf
DMPH4015SK3Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.88 грн
10+69.09 грн
100+46.09 грн
500+33.98 грн
1000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3Q-13 DIOD-S-A0013030199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMPH4015SK3Q-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 8000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3Q-13 DIOD-S-A0013030199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMPH4015SK3Q-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 45 A, 8000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.