DMPH4015SPSQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 832500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 38.89 грн |
| 5000+ | 35.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMPH4015SPSQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.008 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMPH4015SPSQ-13 за ціною від 39.01 грн до 138.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMPH4015SPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.008 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMPH4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 834489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMPH4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 40V 12A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| DMPH4015SPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMPH4015SPSQ-13 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
DMPH4015SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V |
товару немає в наявності |