DMPH4015SSSQ-13 Diodes Zetex
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.45 грн |
| 5000+ | 19.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMPH4015SSSQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMPH4015SSSQ-13 за ціною від 26.29 грн до 98.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMPH4015SSSQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMPH4015SSSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMPH4015SSSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMPH4015SSSQ-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 191+ | 40.92 грн |
| 500+ | 38.29 грн |
| 1000+ | 35.37 грн |
| 2500+ | 28.49 грн |
| 5000+ | 26.29 грн |
| DMPH4015SSSQ-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 11.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 345+ | 40.92 грн |
| DMPH4015SSSQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4234 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.19 грн |
| 10+ | 59.56 грн |
| 100+ | 39.56 грн |
| 500+ | 29.08 грн |
| DMPH4015SSSQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMPH4015SSSQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMPH4015SSSQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)