Продукція > DIODES INCORPORATED > DMPH4025SFVWQ-13
DMPH4025SFVWQ-13

DMPH4025SFVWQ-13 Diodes Incorporated

DMPH4025SFVWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH4025SFVWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMPH4025SFVWQ-13 за ціною від 28.83 грн до 106.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMPH4025SFVWQ-13 DMPH4025SFVWQ-13 Diodes Incorporated DMPH4025SFVWQ.pdf Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.94 грн
10+64.77 грн
100+43.05 грн
500+31.65 грн
1000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4025SFVWQ-13 DMPH4025SFVWQ-13 Diodes Incorporated DMPH4025SFVWQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4025SFVWQ-13 DMPH4025SFVWQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0005736591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4025SFVWQ-13 DMPH4025SFVWQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0005736591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4025SFVWQ-13 DMPH4025SFVWQ.pdf
DMPH4025SFVWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.94 грн
10+64.77 грн
100+43.05 грн
500+31.65 грн
1000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4025SFVWQ-13 DMPH4025SFVWQ.pdf
DMPH4025SFVWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4025SFVWQ-13 DIOD-S-A0005736591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMPH4025SFVWQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4025SFVWQ-13 DIOD-S-A0005736591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMPH4025SFVWQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.