DMPH4026SFVW-7 Diodes Incorporated


DMPH4026SFVW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH4026SFVW-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta).

Інші пропозиції DMPH4026SFVW-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMPH4026SFVW-7 Diodes Incorporated DMPH4026SFVW.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4026SFVW-7 DMPH4026SFVW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.