DMPH4029LFG-13

DMPH4029LFG-13 Diodes Incorporated


DMPH4029LFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.39 грн
10+60.15 грн
100+34.49 грн
500+27.09 грн
1000+23.18 грн
3000+18.71 грн
6000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH4029LFG-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMPH4029LFG-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMPH4029LFG-13 DMPH4029LFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH4029LFG.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFG-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMPH4029LFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -88A
Drain current: -6.7A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 2.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.