DMPH4029LFGQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.06 грн |
| 10+ | 37.29 грн |
| 100+ | 24.24 грн |
| 500+ | 17.47 грн |
| 1000+ | 15.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMPH4029LFGQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMPH4029LFGQ-13 за ціною від 15.78 грн до 87.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMPH4029LFGQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 1653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|