Продукція > DIODES INCORPORATED > DMPH4029LFGQ-7
DMPH4029LFGQ-7

DMPH4029LFGQ-7 Diodes Incorporated

DMPH4029LFGQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH4029LFGQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMPH4029LFGQ-7 за ціною від 15.45 грн до 60.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMPH4029LFGQ-7 DMPH4029LFGQ-7 Diodes Zetex dmph4029lfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 DMPH4029LFGQ-7 Diodes Zetex dmph4029lfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.83 грн
4000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 DMPH4029LFGQ-7 Diodes Zetex dmph4029lfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 DMPH4029LFGQ-7 Diodes Zetex dmph4029lfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 DMPH4029LFGQ-7 Diodes Incorporated DMPH4029LFGQ.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.81 грн
10+36.54 грн
100+23.75 грн
500+17.12 грн
1000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 DMPH4029LFGQ-7 Diodes Incorporated diodes inc_diod-s-a0008363683-1.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 DMPH4029LFGQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0008363683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 DMPH4029LFGQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0008363683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 dmph4029lfgq.pdf
DMPH4029LFGQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 dmph4029lfgq.pdf
DMPH4029LFGQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+15.83 грн
4000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 dmph4029lfgq.pdf
DMPH4029LFGQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 dmph4029lfgq.pdf
DMPH4029LFGQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 DMPH4029LFGQ.pdf
DMPH4029LFGQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.81 грн
10+36.54 грн
100+23.75 грн
500+17.12 грн
1000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 diodes inc_diod-s-a0008363683-1.pdf
DMPH4029LFGQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 DIOD-S-A0008363683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMPH4029LFGQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 DIOD-S-A0008363683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMPH4029LFGQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.