Продукція > DIODES INCORPORATED > DMPH4029LFGQ-7
DMPH4029LFGQ-7

DMPH4029LFGQ-7 Diodes Incorporated

diodes_inc_diod-s-a0008363683-1-1760437.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.65 грн
10+48.14 грн
100+28.99 грн
500+24.20 грн
1000+20.67 грн
2000+18.32 грн
4000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH4029LFGQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMPH4029LFGQ-7 за ціною від 22.75 грн до 79.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMPH4029LFGQ-7 DMPH4029LFGQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMPH4029LFGQ.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.58 грн
10+47.82 грн
100+31.32 грн
500+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 DMPH4029LFGQ-7 Виробник : Diodes Inc dmph4029lfgq.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMPH4029LFGQ.pdf DMPH4029LFGQ-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7 DMPH4029LFGQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMPH4029LFGQ.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.