Продукція > DIODES INCORPORATED > DMPH6023SK3Q-13
DMPH6023SK3Q-13

DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated

DMPH6023SK3Q.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 477500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.53 грн
5000+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH6023SK3Q-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMPH6023SK3Q-13 за ціною від 37.69 грн до 135.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMPH6023SK3Q-13 DMPH6023SK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH6023SK3Q.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 477833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.02 грн
10+82.47 грн
100+55.45 грн
500+41.18 грн
1000+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3Q-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMPH6023SK3Q.pdf DMPH6023SK3Q-13 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH6023SK3Q.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.