Продукція > DIODES INC > DMPH6050SK3-13
DMPH6050SK3-13

DMPH6050SK3-13 Diodes Inc


109dmph6050sk3.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH6050SK3-13 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMPH6050SK3-13 за ціною від 14.63 грн до 77.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMPH6050SK3-13 DMPH6050SK3-13 Виробник : Diodes Zetex 109dmph6050sk3.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.07 грн
10000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13 DMPH6050SK3-13 Виробник : Diodes Zetex 109dmph6050sk3.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.37 грн
10000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13 DMPH6050SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH6050SK3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.99 грн
5000+16.80 грн
7500+16.32 грн
12500+14.67 грн
17500+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13 DMPH6050SK3-13 Виробник : Diodes Zetex 109dmph6050sk3.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.74 грн
5000+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13 DMPH6050SK3-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833584-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 9547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.04 грн
500+24.08 грн
1000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13 DMPH6050SK3-13 Виробник : DIODES INC. DMPH6050SK3.pdf Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.26 грн
50+38.45 грн
100+29.64 грн
500+23.01 грн
1000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13 DMPH6050SK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMPH6050SK3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6A; Idm: -40A; 3.8W; TO252
Case: TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.98 грн
11+35.63 грн
45+20.34 грн
123+19.19 грн
1000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13 DMPH6050SK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMPH6050SK3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6A; Idm: -40A; 3.8W; TO252
Case: TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.18 грн
10+44.39 грн
45+24.40 грн
123+23.03 грн
1000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13 DMPH6050SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH6050SK3.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 74073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.81 грн
10+48.61 грн
100+28.48 грн
500+22.68 грн
1000+20.33 грн
2500+17.47 грн
5000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13 DMPH6050SK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH6050SK3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
на замовлення 22032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.01 грн
10+46.25 грн
100+30.18 грн
500+21.92 грн
1000+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13 DMPH6050SK3-13 Виробник : Diodes Zetex 109dmph6050sk3.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.