Продукція > DIODES INCORPORATED > DMPH6050SK3Q-13
DMPH6050SK3Q-13

DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated

DMPH6050SK3Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.15 грн
5000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMPH6050SK3Q-13 за ціною від 20.01 грн до 114.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q-13 Diodes Zetex 1631008629954491dmph6050sk3q.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
587+24.93 грн
596+24.55 грн
606+24.15 грн
616+22.90 грн
1000+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 587 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q-13 Diodes Zetex 1631008629954491dmph6050sk3q.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.33 грн
32+24.93 грн
100+23.67 грн
250+21.56 грн
500+20.35 грн
1000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated DMPH6050SK3Q.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.91 грн
10+41.02 грн
100+29.77 грн
500+24.61 грн
1000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated DMPH6050SK3Q.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+114.33 грн
10+53.10 грн
100+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002832760-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002832760-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13 1631008629954491dmph6050sk3q.pdf
DMPH6050SK3Q-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
587+24.93 грн
596+24.55 грн
606+24.15 грн
616+22.90 грн
1000+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 587 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13 1631008629954491dmph6050sk3q.pdf
DMPH6050SK3Q-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+25.33 грн
32+24.93 грн
100+23.67 грн
250+21.56 грн
500+20.35 грн
1000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q.pdf
DMPH6050SK3Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.91 грн
10+41.02 грн
100+29.77 грн
500+24.61 грн
1000+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q.pdf
DMPH6050SK3Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60
на замовлення 4023 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.33 грн
10+53.10 грн
100+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13 DIOD-S-A0002832760-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMPH6050SK3Q-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13 DIOD-S-A0002832760-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMPH6050SK3Q-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.