DMPH6050SK3Q-13 Diodes Zetex
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 587+ | 21.07 грн |
| 596+ | 20.74 грн |
| 606+ | 20.40 грн |
| 616+ | 19.34 грн |
| 1000+ | 17.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMPH6050SK3Q-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMPH6050SK3Q-13 за ціною від 18.11 грн до 93.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMPH6050SK3Q-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMPH6050SK3Q-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMPH6050SK3Q-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMPH6050SK3Q-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 |
на замовлення 8362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMPH6050SK3Q-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMPH6050SK3Q-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMPH6050SK3Q-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
DMPH6050SK3Q-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |



