DMPH6050SSD-13

DMPH6050SSD-13 Diodes Incorporated


DMPH6050SSD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 5.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.91 грн
5000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMPH6050SSD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMPH6050SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMPH6050SSD-13 за ціною від 20.19 грн до 94.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMPH6050SSD-13 DMPH6050SSD-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833403-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH6050SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.11 грн
500+30.08 грн
1000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSD-13 DMPH6050SSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH6050SSD.pdf Description: MOSFET 2P-CH 5.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.46 грн
10+52.54 грн
100+36.36 грн
500+28.51 грн
1000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSD-13 DMPH6050SSD-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833403-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMPH6050SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.45 грн
14+61.71 грн
100+41.11 грн
500+30.08 грн
1000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSD-13 DMPH6050SSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMPH6050SSD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.22 грн
10+58.44 грн
100+33.45 грн
500+26.06 грн
1000+23.62 грн
2500+20.65 грн
5000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSD-13 DMPH6050SSD-13 Виробник : Diodes Zetex 22dmph6050ssd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSD-13 DMPH6050SSD-13 Виробник : Diodes Inc 22dmph6050ssd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.